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1N3341RB

1N3341RB

참조 용

부품 번호 1N3341RB
PNEDA 부품 번호 1N3341RB
설명 DIODE ZENER 105V 50W DO5
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,230
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 18 - 6월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3341RB 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3341RB
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N3341RB 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)105V
공차±5%
전력-최대50W
임피던스 (최대) (Zzt)25 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 83V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 10A
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AB, DO-5, Stud
공급자 장치 패키지DO-5

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전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±5%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

215 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 43.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

1N5253TA

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제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

25V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

RLZTE-118.2C

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

LLDS

CZRFR52C8V2

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005/SOD-323F

JAN1N4969CUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 22.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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