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1N3889

1N3889

참조 용

부품 번호 1N3889
PNEDA 부품 번호 1N3889
설명 DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3889 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3889
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N3889, 1N3889 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 751.56 KB)
PDF1N3891R 데이터 시트 표지
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  • 1N3889 Distributor

1N3889 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)12A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 12A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)200ns
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

250ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HER604-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 6A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

60ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R6, Axial

공급자 장치 패키지

R-6

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

UG06D R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

600mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 600mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

15ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

HSM560G/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AB, SMC Gull Wing

공급자 장치 패키지

DO-215AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

V30DL45BP-M3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®, TMBS®

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

30A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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