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1N3893R

1N3893R

참조 용

부품 번호 1N3893R
PNEDA 부품 번호 1N3893R
설명 DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,468
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N3893R 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3893R
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N3893R, 1N3893R 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 751.56 KB)
PDF1N3891R 데이터 시트 표지
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  • 1N3893R Distributor

1N3893R 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard, Reverse Polarity
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)12A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.4V @ 12A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)200ns
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

120mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

370mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

DFN1006-2

작동 온도-접합

150°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

500V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 500V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.3V @ 5A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

110pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

VS-85HFR100

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 267A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 180°C

ES2F R5G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

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