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1N4006-N-0-3-AP

1N4006-N-0-3-AP

참조 용

부품 번호 1N4006-N-0-3-AP
PNEDA 부품 번호 1N4006-N-0-3-AP
설명 DIODE GEN PURP 800V 1A DO-41
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 7,326
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4006-N-0-3-AP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4006-N-0-3-AP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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1N4006-N-0-3-AP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)800V
전류-평균 정류 (Io)1A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

5.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

570mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

360pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

600ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.85V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

55ns

전류-역방향 누설 @ Vr

8µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

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