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1N4007GP

1N4007GP

참조 용

부품 번호 1N4007GP
PNEDA 부품 번호 1N4007GP
설명 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,436
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4007GP 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4007GP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N4007GP, 1N4007GP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 68.91 KB)
PDF1N4004_NL 데이터 시트 표지
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1N4007GP 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1000V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

A, Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

630mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

195pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AD

공급자 장치 패키지

MicroSMP (DO-219AD)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

EGF1THE3/5CA

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214BA

공급자 장치 패키지

DO-214BA (GF1)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

ES15DLWHRVG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

24pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123W

공급자 장치 패키지

SOD-123W

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAS21E6433HTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

250mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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