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1N4123

1N4123

참조 용

부품 번호 1N4123
PNEDA 부품 번호 1N4123
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,418
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 28 - 3월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4123 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4123
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4123 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

BZV55B7V5 L1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

Mini MELF

1N5382BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

140V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

230 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 101V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

MM5Z20VT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±6%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 14V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

JAN1N4462US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 4.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

1PMT4125/TR7

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 35.75V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

최근 판매

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SMBJ6V5A

SMBJ6V5A

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