1N4150TR
참조 용
| 부품 번호 | 1N4150TR |
| PNEDA 부품 번호 | 1N4150TR_6B |
| 설명 | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,922 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N4150TR 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N4150TR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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1N4150TR 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 50V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 200mA |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 200mA |
| 속도 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 역 복구 시간 (trr) | 6ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 50V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
| 작동 온도-접합 | 175°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 950mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123W 공급자 장치 패키지 SOD123W 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 300mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 450mV @ 300mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 50µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F 46pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지 SC-70 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-128 공급자 장치 패키지 PMDTM 작동 온도-접합 150°C (Max) |
