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1N4454TR

1N4454TR

참조 용

부품 번호 1N4454TR
PNEDA 부품 번호 1N4454TR
설명 DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 344,142
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4454TR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4454TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N4454TR, 1N4454TR 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 138.88 KB)
PDF1N4454_T50R 데이터 시트 표지
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1N4454TR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)50V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 10mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)4ns
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 50V
커패시턴스 @ Vr, F4pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합175°C (Max)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

18A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 18A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2.5mA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

TSP20U60S S1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

580mV @ 20A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

AR3PKHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.9V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

120ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

34pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

DST560S-A

Littelfuse

제조업체

Littelfuse Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

700µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

314pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277B

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

BAT54W-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

작동 온도-접합

125°C (Max)

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