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1N4475US

1N4475US

참조 용

부품 번호 1N4475US
PNEDA 부품 번호 1N4475US_5E
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,286
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 10월 9 - 10월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4475US 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4475US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • Microsemi Distributor
  • 1N4475US Price
  • 1N4475US Distributor

1N4475US 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JANTX1N5546D-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N5232B A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

100°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

MAZ80560ML

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±6%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 2.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SMini2-F1

1N5230B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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