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1N4555A

1N4555A

참조 용

부품 번호 1N4555A
PNEDA 부품 번호 1N4555A
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,488
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4555A 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4555A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N4555A Distributor

1N4555A 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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±2%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

240 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 47.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

1N5371C/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

60V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 43V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N5237B-T

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 6.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5346C/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

7.5µA @ 6.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N5915D G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±1%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

7.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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