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1N459ATR

1N459ATR

참조 용

부품 번호 1N459ATR
PNEDA 부품 번호 1N459ATR
설명 DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,246
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 11 - 3월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N459ATR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N459ATR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N459ATR, 1N459ATR 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 115.25 KB)
PDF1N459ATR 데이터 시트 표지
1N459ATR 데이터 시트 페이지 2

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1N459ATR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)500mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 100mA
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr25nA @ 175V
커패시턴스 @ Vr, F6pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합175°C (Max)

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, R62

작동 온도-접합

-

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제조업체

Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1500V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2V @ 500mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1500V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

ES3B-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SF10FG-B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

40ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

75pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

BYT52M-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1.4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

200ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-57

작동 온도-접합

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