1N4725
참조 용
| 부품 번호 | 1N4725 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 1N4725 | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 66 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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1N4725 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N4725 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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1N4725 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 25µA @ 1000V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | Axial |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 100A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.55V @ 470A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 7µs 전류-역방향 누설 @ Vr 30mA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-205AA, DO-8, Stud 공급자 장치 패키지 DO-205AA (DO-8) 작동 온도-접합 -65°C ~ 200°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 6A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 6A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Button, Axial 공급자 장치 패키지 Microde Button 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 35A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 190°C |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/578 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 150V 전류-평균 정류 (Io) 300mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 20ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 150V 커패시턴스 @ Vr, F 2.5pF @ 0V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SQ-MELF, B 공급자 장치 패키지 D-5B 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 45V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 570mV @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 100µA @ 45V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123H 공급자 장치 패키지 SOD-123HE 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
