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1N4736A-T50R

1N4736A-T50R

참조 용

부품 번호 1N4736A-T50R
PNEDA 부품 번호 1N4736A-T50R
설명 DIODE ZENER 6.8V 1W DO41
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 84,804
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4736A-T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4736A-T50R
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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1N4736A-T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)3.5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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공차

±5%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 18V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

150V

공차

±20%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.3 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 114V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

28V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 25.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

JANTX1N825UR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/159

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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