1N4749AP/TR12
참조 용
| 부품 번호 | 1N4749AP/TR12 |
| PNEDA 부품 번호 | 1N4749AP-TR12 |
| 설명 | DIODE ZENER 24V 1W DO204AL |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,474 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 19 - 3월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N4749AP/TR12 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N4749AP/TR12 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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- 1N4749AP/TR12 Distributor
1N4749AP/TR12 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 24V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 1W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 25 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 18.2V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-204AL (DO-41) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 33V 공차 ±20% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 20 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 25.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 9.1V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 350 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 100°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 11V 공차 ±2% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 5.5 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 8.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-216AA 공급자 장치 패키지 DO-216AA |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 200V 공차 ±5% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 1.2 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 152V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMB) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 56V 공차 ±5% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 86 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 42.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지 DO-214AA (SMBJ) |
