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1N4750AHR0G

1N4750AHR0G

참조 용

부품 번호 1N4750AHR0G
PNEDA 부품 번호 1N4750AHR0G
설명 DIODE ZENER 27V 1W DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 3,150
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4750AHR0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4750AHR0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4750AHR0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)27V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)35 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 20.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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전력-최대

370mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-

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Through Hole

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

1N5262A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SMAJ4492CE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

500 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25nA @ 104V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

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