1N4757A B0G
참조 용
| 부품 번호 | 1N4757A B0G |
| PNEDA 부품 번호 | 1N4757A-B0G |
| 설명 | DIODE ZENER 51V 1W DO204AL |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,588 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N4757A B0G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N4757A B0G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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1N4757A B0G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 51V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 1W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 95 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-204AL (DO-41) |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 22.05V 공차 ±5.66% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 15 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 16V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3.6V 공차 ±5% 전력-최대 1.3W 임피던스 (최대) (Zzt) 20 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 10mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 27V 공차 ±2% 전력-최대 150mW 임피던스 (최대) (Zzt) 70 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 21V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -55°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 0503 (1308 Metric) 공급자 장치 패키지 0503/SOD-723F |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/115 전압-제너 (Nom) (Vz) 10V 공차 ±1% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 7 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 25µA @ 7.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AB (MELF, LL41) |
