1N4757AHB0G
참조 용
| 부품 번호 | 1N4757AHB0G |
| PNEDA 부품 번호 | 1N4757AHB0G |
| 설명 | DIODE ZENER 51V 1W DO204AL |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,526 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N4757AHB0G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N4757AHB0G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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1N4757AHB0G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 51V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 1W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 95 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 38.8V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-204AL (DO-41) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 16V 공차 ±1% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 40 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 11V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 10mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 56V 공차 ±5% 전력-최대 300mW 임피던스 (최대) (Zzt) 200 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 39.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 |
