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1N4966US

1N4966US

참조 용

부품 번호 1N4966US
PNEDA 부품 번호 1N4966US
설명 DIODE ZENER 22V 5W
제조업체 Semtech
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재고 있음 6,390
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1N4966US 리소스

브랜드 Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4966US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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1N4966US 사양

제조업체Semtech Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)22V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 16.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF
공급자 장치 패키지-

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

105 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 36V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

SMAZ8V2-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

SMA

1N5357AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±10%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 14.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

BZT52C2V7LP-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±7.41%

전력-최대

100mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

SOD-882

1N5257B_S00Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

58 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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