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1N4988US

1N4988US

참조 용

부품 번호 1N4988US
PNEDA 부품 번호 1N4988US
설명 DIODE ZENER 180V 5W
제조업체 Semtech
단가 견적 요청
재고 있음 8,406
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1N4988US 리소스

브랜드 Semtech
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4988US
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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1N4988US 사양

제조업체Semtech Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)180V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)450 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 136.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SQ-MELF
공급자 장치 패키지-

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

24V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 18.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4956

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 6.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

JANTX1N4468DUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±1%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

JAN1N6314CUS

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

1N5256B (DO-35)

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

49 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 23V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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