1N5222C-TAP
참조 용
| 부품 번호 | 1N5222C-TAP |
| PNEDA 부품 번호 | 1N5222C-TAP |
| 설명 | DIODE ZENER 2.5V 500MW DO35 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,282 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N5222C-TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5222C-TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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1N5222C-TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 2.5V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 30 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100µA @ 1V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 30V 공차 ±20% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 8 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 21.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 T-18, Axial 공급자 장치 패키지 T-18 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/115 전압-제너 (Nom) (Vz) 18V 공차 ±5% 전력-최대 1W 임피던스 (최대) (Zzt) 20 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 13.7V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AB (MELF, LL41) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 47V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 105 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 36V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
