1N5230B_S00Z
참조 용
| 부품 번호 | 1N5230B_S00Z |
| PNEDA 부품 번호 | 1N5230B_S00Z |
| 설명 | DIODE ZENER 4.7V 500MW 5% DO-35 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,858 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N5230B_S00Z 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5230B_S00Z |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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1N5230B_S00Z 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 4.7V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 19 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 2V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M 전압-제너 (Nom) (Vz) 180V 공차 - 전력-최대 800mW 임피던스 (최대) (Zzt) 400 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 130V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 DO-219AB (SMF) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/437 전압-제너 (Nom) (Vz) 28V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10nA @ 25.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AA (Glass) 공급자 장치 패키지 DO-213AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/437 전압-제너 (Nom) (Vz) 11V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 9.9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 (DO-204AH) |
