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1N5231B

1N5231B

참조 용

부품 번호 1N5231B
PNEDA 부품 번호 1N5231B_5E
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,229
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5231B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5231B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5231B, 1N5231B 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 192.4 KB)
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  • 1N5231B Distributor

1N5231B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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3.3V

공차

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전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

120 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12.15V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4761P/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N4741A-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

1.3W

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

BZD27C82P-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, BZD27C

전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 62V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

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