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1N5241BUR-1

1N5241BUR-1

참조 용

부품 번호 1N5241BUR-1
PNEDA 부품 번호 1N5241BUR-1
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,182
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5241BUR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5241BUR-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5241BUR-1, 1N5241BUR-1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 278.96 KB)
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1N5241BUR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N5223A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PTV18B-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

전압-제너 (Nom) (Vz)

19.2V

공차

±6%

전력-최대

600mW

임피던스 (최대) (Zzt)

12 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 13V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

DO-220AA (SMP)

JANTXV1N5528BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 7.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-213AA

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