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1N5337CE3/TR8

1N5337CE3/TR8

참조 용

부품 번호 1N5337CE3/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5337CE3-TR8
설명 DIODE ZENER 4.7V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,338
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5337CE3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5337CE3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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  • 1N5337CE3/TR8 Distributor

1N5337CE3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±2%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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제조업체

Microsemi Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±2%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 42.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AA, DO-27, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201

CDLL963A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±10%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

11.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

1N5349E3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 8.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

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