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1N5342E3/TR13

1N5342E3/TR13

참조 용

부품 번호 1N5342E3/TR13
PNEDA 부품 번호 1N5342E3-TR13
설명 DIODE ZENER 6.8V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,694
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5342E3/TR13 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5342E3/TR13
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5342E3/TR13, 1N5342E3/TR13 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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  • 1N5342E3/TR13 Distributor

1N5342E3/TR13 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)6.8V
공차±20%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)1 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 4.9V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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9.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 6.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

SOD-80 QuadroMELF

MAZD30000L

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±7%

전력-최대

120mW

임피던스 (최대) (Zzt)

160 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 23V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 62V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

1N3335RB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±5%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Chassis, Stud Mount

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