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1N5357E3/TR12

1N5357E3/TR12

참조 용

부품 번호 1N5357E3/TR12
PNEDA 부품 번호 1N5357E3-TR12
설명 DIODE ZENER 20V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,758
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 9월 23 - 9월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5357E3/TR12 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5357E3/TR12
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5357E3/TR12, 1N5357E3/TR12 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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1N5357E3/TR12 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)20V
공차±20%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)3 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 14.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

UDZLVTE-1751

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

-

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323FL

MMBZ5239BT-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

RLZTE-1115B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

14.3V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

16 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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