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1N5364E3/TR8

1N5364E3/TR8

참조 용

부품 번호 1N5364E3/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5364E3-TR8
설명 DIODE ZENER 33V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,676
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5364E3/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5364E3/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5364E3/TR8, 1N5364E3/TR8 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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  • 1N5364E3/TR8 Distributor

1N5364E3/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차±20%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 23.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±1%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/1

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.55V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

500 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 30V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

MicroMELF

PDZVTFTR6.8B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±6.62%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-128

공급자 장치 패키지

PMDTM

1N2808A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±10%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

0.6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 6.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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