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1N5367B

1N5367B

참조 용

부품 번호 1N5367B
PNEDA 부품 번호 1N5367B
설명 DIODE ZENER 43V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,220
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 21 - 3월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5367B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5367B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5367B, 1N5367B 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
PDF1N5388E3/TR8 데이터 시트 표지
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  • 1N5367B Distributor

1N5367B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)43V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)20 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 31V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.2V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N4489US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BZD17C51P RUG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5.88%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZT52C75-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

TSZU52C36 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

0603 (1608 Metric)

공급자 장치 패키지

0603

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