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1N5369BE3/TR12

1N5369BE3/TR12

참조 용

부품 번호 1N5369BE3/TR12
PNEDA 부품 번호 1N5369BE3-TR12
설명 DIODE ZENER 51V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,736
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5369BE3/TR12 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5369BE3/TR12
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5369BE3/TR12, 1N5369BE3/TR12 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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  • 1N5369BE3/TR12 Distributor

1N5369BE3/TR12 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)51V
공차±5%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)27 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 36.7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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11V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AC

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±6%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

PMDU

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

60V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

400 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 45.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

1N4744A-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

1.3W

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

JAN1N4963

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±5%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 12.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

-

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