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1N5381C/TR8

1N5381C/TR8

참조 용

부품 번호 1N5381C/TR8
PNEDA 부품 번호 1N5381C-TR8
설명 DIODE ZENER 130V 5W T18
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5381C/TR8 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5381C/TR8
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5381C/TR8, 1N5381C/TR8 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 150.89 KB)
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1N5381C/TR8 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)130V
공차±2%
전력-최대5W
임피던스 (최대) (Zzt)190 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 93.6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 1A
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스T-18, Axial
공급자 장치 패키지T-18

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

75µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 32.65V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

CZRFR52C5V1

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 800mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

1005 (2512 Metric)

공급자 장치 패키지

1005/SOD-323F

ZGL41-200A-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

200V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.2 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 152V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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