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1N5518B

1N5518B

참조 용

부품 번호 1N5518B
PNEDA 부품 번호 1N5518B
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5518B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5518B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5518B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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±2%

전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

BZX84J-C15,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

550mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 10.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

1PGSMA4743 M2G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

1N5931AP/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

18V

공차

±10%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

12 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 13.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

BZD27C68PHRFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5.88%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 51V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

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