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1N5521B

1N5521B

참조 용

부품 번호 1N5521B
PNEDA 부품 번호 1N5521B
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $9.1466
100 ---------- $8.7179
250 ---------- $8.2891
500 ---------- $7.8604
750 ---------- $7.5031
1,000 ---------- $7.1458
재고 있음 425
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5521B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5521B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • Microsemi Distributor
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  • 1N5521B Distributor

1N5521B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Microsemi

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Microsemi Corporation

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5.1V

공차

±2%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5913D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2M91Z A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AC, DO-15, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AC (DO-15)

SMBG5918AE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±10%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-215AA, SMB Gull Wing

공급자 장치 패키지

SMBG (DO-215AA)

BZT55B56 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

135 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 42V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

Mini MELF

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