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1N5522B (DO35)

1N5522B (DO35)

참조 용

부품 번호 1N5522B (DO35)
PNEDA 부품 번호 1N5522B-DO35
설명 DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5522B (DO35) 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5522B (DO35)
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5522B (DO35) 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)22 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-323

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10.21V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

DO-34

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

28 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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