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1N5529B

1N5529B

참조 용

부품 번호 1N5529B
PNEDA 부품 번호 1N5529B
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 29 - 12월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5529B 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5529B
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • 1N5529B Distributor

1N5529B 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

관심을 가질만한 제품

1N4744PE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N4736A-T50R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

3.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

1SMB5948BT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

1N5955BUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

900 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

DO-213AB

PLZ10B-G3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AC

공급자 장치 패키지

DO-219AC (microSMF)

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