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1N5712

1N5712

참조 용

부품 번호 1N5712
PNEDA 부품 번호 1N5712
설명 DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $64.1846
50 ---------- $61.1759
100 ---------- $58.1673
200 ---------- $55.1586
400 ---------- $52.6514
500 ---------- $50.1442
재고 있음 17,147
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1N5712 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5712
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • 1N5712 Distributor

1N5712 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io)75mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 35mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr150nA @ 16V
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35 (DO-204AH)
작동 온도-접합-65°C ~ 150°C

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전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.4V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

30pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

JANS1N6662US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/587

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 400mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

FESB8BTHE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

RGP10GEHE3/91

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

UF1K B0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

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