1N5811TR
참조 용
| 부품 번호 | 1N5811TR |
| PNEDA 부품 번호 | 1N5811TR |
| 설명 | DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,924 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N5811TR 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N5811TR |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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- 1N5811TR Distributor
1N5811TR 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 150V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 6A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 875mV @ 4A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 30ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 5µA @ 150V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | B, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | - |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 800mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.7V @ 800mA 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 19pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123W 공급자 장치 패키지 SOD-123W 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 15V 전류-평균 정류 (Io) 120A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 390mV @ 120A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 40mA @ 15V 커패시턴스 @ Vr, F 7700pF @ 5V, 1MHz 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 D-67 HALF-PAK 공급자 장치 패키지 D-67 작동 온도-접합 - |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 20V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 500mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 20V 커패시턴스 @ Vr, F 110pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 GL41 (DO-213AB) 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 50V 전류-평균 정류 (Io) 8A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 975mV @ 8A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 50V 커패시턴스 @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101, eSMP®, TMBS® 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 35A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 900mV @ 35A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 800µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 2500pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 SlimDPAK 작동 온도-접합 -40°C ~ 175°C |
