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1N5818-TP

1N5818-TP

참조 용

부품 번호 1N5818-TP
PNEDA 부품 번호 1N5818-TP
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 92,112
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5818-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5818-TP
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N5818-TP, 1N5818-TP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 488.33 KB)
PDF1N5819-TP 데이터 시트 표지
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1N5818-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If550mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr1mA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41
작동 온도-접합-55°C ~ 125°C

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Sanken

시리즈

-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

400ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

Axial

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

IDH10G65C5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

340µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

20BQ030TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

VS-12TQ045STRLHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

560mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.75mA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

900pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MUR440S M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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