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1N5819-1

1N5819-1

참조 용

부품 번호 1N5819-1
PNEDA 부품 번호 1N5819-1
설명 DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $997.7413
50 ---------- $950.9722
100 ---------- $904.2031
200 ---------- $857.4339
400 ---------- $818.4597
500 ---------- $779.4854
재고 있음 3,920
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1N5819-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5819-1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • 1N5819-1 Distributor

1N5819-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)45V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If340mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 45V
커패시턴스 @ Vr, F70pF @ 5V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-65°C ~ 125°C

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

400µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MBRB745TR

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

400pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SBRS81100T3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

750mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

APT40DQ60BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

40A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.4V @ 40A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

7pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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