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1N5829

1N5829

참조 용

부품 번호 1N5829
PNEDA 부품 번호 1N5829
설명 DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,384
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5829 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5829
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N5829, 1N5829 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 766.63 KB)
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  • 1N5829 Distributor

1N5829 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io)25A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If580mV @ 25A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr2mA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스DO-203AA, DO-4, Stud
공급자 장치 패키지DO-4
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Powerex Inc.

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600V

전류-평균 정류 (Io)

800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

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작동 온도-접합

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Microsemi

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시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-277, 3-PowerDFN

공급자 장치 패키지

TO-277A (SMPC)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

C4D10120H

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

31.5A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

250µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

754pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-247-2

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