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1N5945C G

1N5945C G

참조 용

부품 번호 1N5945C G
PNEDA 부품 번호 1N5945C-G
설명 DIODE ZENER 68V 1.25W DO204AL
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,736
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5945C G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5945C G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5945C G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)68V
공차±2%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)120 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr1µA @ 51.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

관심을 가질만한 제품

1N4625-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

1PMT4133E3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

87V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 66.12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

BZD17C120P MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

120V

공차

±5.41%

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

300 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 91V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

1N5989D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5221A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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