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1N5985B TR

1N5985B TR

참조 용

부품 번호 1N5985B TR
PNEDA 부품 번호 1N5985B-TR
설명 DIODE ZENER 2.4V 500MW DO35
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 5,616
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5985B TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5985B TR
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5985B TR, 1N5985B TR 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 329.31 KB)
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1N5985B TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)2.4V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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4.3V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

1N5276A

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JAN1N980B-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JAN1N4466US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

6 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

300nA @ 8.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

D-5A

JANTX1N4972C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 29.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

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