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1N5993C

1N5993C

참조 용

부품 번호 1N5993C
PNEDA 부품 번호 1N5993C
설명 DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5993C 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5993C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N5993C 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)5.1V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)50 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

관심을 가질만한 제품

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±7.03%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 20V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

1N6007UR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N5533B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 11.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZT52B30-G RHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

30V

공차

±2%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 21V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

BZT52HC3V0WF-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±6.67%

전력-최대

375mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

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