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1N5997B-TP

1N5997B-TP

참조 용

부품 번호 1N5997B-TP
PNEDA 부품 번호 1N5997B-TP
설명 DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 3,654
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5997B-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5997B-TP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5997B-TP, 1N5997B-TP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 167.53 KB)
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1N5997B-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)7.5V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)7 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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Taiwan Semiconductor Corporation

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

9µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±20%

전력-최대

10mW

임피던스 (최대) (Zzt)

28 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

180 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 35.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N2809RB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

50W

임피던스 (최대) (Zzt)

0.8 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 10A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

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