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1N6001C

1N6001C

참조 용

부품 번호 1N6001C
PNEDA 부품 번호 1N6001C
설명 DIODE ZENER 11V 500MW DO35
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,308
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6001C 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6001C
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N6001C 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)11V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)18 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 8.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.1V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JAN1N4568AUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.4V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

BZX384B11-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

JAN1N4370D-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/127

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±1%

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

YDZVFHTR5.1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±9.8%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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