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1N6011B_T50R

1N6011B_T50R

참조 용

부품 번호 1N6011B_T50R
PNEDA 부품 번호 1N6011B_T50R
설명 DIODE ZENER 30V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6011B_T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6011B_T50R
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N6011B_T50R, 1N6011B_T50R 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 149.05 KB)
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1N6011B_T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)78 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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공차

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전력-최대

550mW

임피던스 (최대) (Zzt)

140 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 43.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

CZRV5240B-G

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Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±2.54%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

18 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

SZBZX84C33ET1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±6%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 23.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

ZM4747A-GS18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

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