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1N6013B_T50A

1N6013B_T50A

참조 용

부품 번호 1N6013B_T50A
PNEDA 부품 번호 1N6013B_T50A
설명 DIODE ZENER 36V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N6013B_T50A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N6013B_T50A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N6013B_T50A, 1N6013B_T50A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 149.05 KB)
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1N6013B_T50A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)36V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)95 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 27V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

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임피던스 (최대) (Zzt)

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전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 6.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

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작동 온도

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공차

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 950mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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공차

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전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 84V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

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공차

±5%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

135 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

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