1N6629US
참조 용
| 부품 번호 | 1N6629US |
| PNEDA 부품 번호 | 1N6629US |
| 설명 | DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,714 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N6629US 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N6629US |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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1N6629US 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 880V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 1.4A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.4V @ 1.4A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 50ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 2µA @ 880V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SQ-MELF, A |
| 공급자 장치 패키지 | A-MELF |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 150°C |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 980mV @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 25ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지 TO-252 작동 온도-접합 150°C (Max) |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1600V 전류-평균 정류 (Io) 85A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.4V @ 267A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 4.5mA @ 1600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-203AB 작동 온도-접합 -65°C ~ 150°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 300V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 3A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 50ns 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 300V 커패시턴스 @ Vr, F 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
