1N747A-1
참조 용
| 부품 번호 | 1N747A-1 |
| PNEDA 부품 번호 | 1N747A-1 |
| 설명 | DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,564 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1N747A-1 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1N747A-1 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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1N747A-1 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 3.6V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 500mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 22 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 3µA @ 1V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.1V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-35 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 110V 공차 ±1% 전력-최대 1.25W 임피던스 (최대) (Zzt) 300 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 83.6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 DO-213AB |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 19.11V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 55 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 200nA @ 15V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AG, DO-34, Axial 공급자 장치 패키지 DO-34 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 16V 공차 ±2% 전력-최대 300mW 임피던스 (최대) (Zzt) 20 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 70nA @ 12V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 100mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SMT3; MPAK |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 36V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10nA @ 27.3V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123 공급자 장치 패키지 SOD-123 |
