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1N8031-GA

1N8031-GA

참조 용

부품 번호 1N8031-GA
PNEDA 부품 번호 1N8031-GA
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,122
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N8031-GA 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N8031-GA
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N8031-GA, 1N8031-GA 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 584.2 KB)
PDF1N8031-GA 데이터 시트 표지
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  • 1N8031-GA Distributor

1N8031-GA 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 1A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F76pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-276AA
공급자 장치 패키지TO-276
작동 온도-접합-55°C ~ 250°C

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-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

420mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB (DO-214AA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

제조업체

IXYS

시리즈

FRED

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

77A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 70A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-2

공급자 장치 패키지

TO-247AD

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

1N4001-B

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

작동 온도-접합

-

MMBD1501A_D87Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 180V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

작동 온도-접합

150°C (Max)

GB01SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

69pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TO-252

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