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1N8034-GA

1N8034-GA

참조 용

부품 번호 1N8034-GA
PNEDA 부품 번호 1N8034-GA
설명 DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,884
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N8034-GA 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N8034-GA
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N8034-GA, 1N8034-GA 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 611.44 KB)
PDF1N8034-GA 데이터 시트 표지
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  • 1N8034-GA Distributor

1N8034-GA 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)650V
전류-평균 정류 (Io)9.4A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.34V @ 10A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 650V
커패시턴스 @ Vr, F1107pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-257-3
공급자 장치 패키지TO-257
작동 온도-접합-55°C ~ 250°C

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 40V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

TS-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

GKR240/12

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

320A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 60A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

FFH60UP40S3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 60A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

85ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

STTA212S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

TURBOSWITCH™

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.65V @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

115ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC

작동 온도-접합

125°C (Max)

D650N06TXPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

650A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 450A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

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